信息存储应用技术
  • 本申请要求2017年1月13日提交的申请号为10-2017-0006398的韩国专利申请的优先权,其通过引用整体合并于此。本公开的实施例涉及一种执行训练操作的半导体器件。为了轻便,已经开发了诸如便携式计算机、个人数字助理(PDA)以及便携式电话的移动系统以减少其重量。为移动系统供电...
  • 本发明涉及存储器领域,具体涉及一种基于熔丝特性的改进的差分架构OTP存储单元及存储器。一次可编程存储器(OTP)是非易失性存储器中的一种,它可以为电路应用提供灵活多样和价格低廉的解决方案,因而广泛应用于数据存储备份、代码存储、初始信息存储、RFID标示信息存储等领域。目前有多种结构可以实现...
  • 本发明是有关于半导体存储装置的数据读出方法,特别是有关于具有串列界面功能的NAND型闪存的读出数据的验证方法。NAND型闪存中以页单位进行数据读出及编程,这些页数据存储于页缓冲器。揭示于专利文件1的闪存,具有将存储于页缓冲器的数据以第1位宽度传送的第1模式与以第2位宽度传送的第2模式,且对...
  • 本申请要求于2017年1月13日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0006282号的优先权,其全部公开内容通过引用并入本文。本公开涉及一种半导体设备,更具体地,涉及一种非易失性存储器设备,在该非易失性存储器设备中,通过针对每单元多位(multi-bit-per-cell)...
  • 本发明涉及电子,特别涉及一种非易失存储器擦写电压的斜率控制电路及非易失存储器。现有NVM(Non-volatileMemory,非易失存储器)结构当中,不论是EEPROM(带电可擦写可编程读写存储器)还是FLASH(闪存),存储单元都是基于FOLTOX(Floating-gate...
  • 各种实施方式一般可以涉及电子装置,更具体地,可以涉及半导体存储装置及其操作方法。半导体存储装置是通过使用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)这样的半导体来实现的存储装置。半导体存储装置分成易失性存储装置和非易失性存储装置。当电源关闭时,易失性存储装置丢失所存储的...
  • 本发明涉及非易失性存储器领域,具体涉及的是一种改进的差分架构ETOXflash存储单元及存储器。一般而言,Flash(快闪)是一种非易失性的半导体存储器,它被设计用来执行可编程只读存储器EPROM的编程方法以及电可擦除可编程只读存储器EEPROM的擦写方法。Flash具有存储容量大、数据...
  • 本申请要求于2017年1月13日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2017-0006137和2017年8月15日在美国专利商标局递交的美国专利申请No.15/677,055的优先权,其公开内容通过引用方式整体并入本文中。本公开涉及包括阻变材料的存储设备及其驱动方法。使用...
  • 本申请要求2017年1月11日提交给韩国知识产权局的申请号为10-2017-0004431的韩国专利的优先权,其全部内容通过引用整体合并于此。本公开的实施例涉及一种对数据执行错误校正操作的半导体器件。近来,为了增大半导体器件的工作速度,使用了DDR2或DDR3发信号,其中在每个时钟...
  • 本发明涉及存储器领域,具体涉及一种存储器,使得追踪结果更为准确、可靠。在当今集成电路应用领域,对在一块小的芯片上实现多的功能提出了更高的要求,于是片上系统(SystemonChip,SoC)越来越受到人们的重视。随着集成电路设计水平和工艺技术的提高,包含多个功能模块的SoC已经能够实现...
  • 本发明是有关于在数字电路中用以降低待机电流的方法,特别地,于一待机(standby)状态下,数字数据(digitaldata)储存元件(component),例如:静态随机存取存储器单元(StaticRandomAccessMemory(SRAM)cell)、正反器(flip-flop)、...
  • 本发明涉及半导体存储器领域,具体涉及一种差分的浮栅型DRAM存储单元及DRAM存储器。随着集成电路工艺的高速发展,工艺集成度允许片内集成更多的存储器。嵌入式存储器在系统芯片(SoC)的面积的逐步增加,存储器对芯片性能的影响也越来越大。动态随机存储器(DRAM)具备速度快、功耗低、密度高等优...
  • 本发明属于空间辐射损伤效应及抗辐射加固领域,更具体的涉及一种确定FeRAM工作状态的方法及装置。近几年随着IT行业的不断发展,半导体集成电路发挥着重要的作用,存储技术也变得越来越重要,而FeRAM(FerroelectricRAM,铁电存储器)具有DRAM(DynamicRandom...
  • 本公开总体上涉及一种存储器架构,更具体地,涉及一种为阵列信号和外围信号提供信号缓冲方案的存储器系统。存储器结构已成为数字处理系统的组成部分。通常,希望将尽可能多的存储器单元结合到存储器结构的给定区域中。然而,内存单元密度通常受到诸如布局效率、性能、功率要求和噪声敏感度的其他因素制约。上述约...
  • 本发明涉及集成电路设计技术,尤其涉及一种DDR4标准的高速接收器电路。高密度动态存储器(DRAM)总线的带宽和接口速度是衡量系统性能的重要指标,工业界不断推动系统设计限制的边界,以实现更高的存储器接口数据传输速率。DDR4SDRAM在容量、速率和兼容性上都比之前DDR3SDRAM有很大...
  • 本发明涉及半导体,特别涉及一种输出驱动器和存储器的读电路。半导体设备中通常采用一输出驱动器对芯片之间的信号进行传输。其中,所述输出驱动器的输出端与一焊垫或其他的芯片接触,以形成负载端子。在输出驱动器中,根据不同电平值的输入信号,切换输出具有不同电压域的输出信号。然而,当输出驱动器中...
  • 本发明涉及大容量光存储设备领域,尤其是一种光盘库储盘匣内光盘的取出与存入装置。光存储是一种利用光盘作为存储介质的海量数据存储手段,具有能耗低、可移动、数据保存周期长等优点,非常适合存储访问频率小、需长期保存的数据。光盘库是一种带有自动换盘器(机械手)的光盘网络共享设备,,用于长期或永久存储...
  • 本发明涉及磁记录介质及磁存储装置。近年,对硬盘装置大容量化的要求日益提高。然而,使用现有记录方式难以提高硬盘装置的记录密度。热辅助磁记录方式作为下一代记录方式已经被进行了广泛的研究,并且也是备受瞩目的技术之一。热辅助磁记录方式是一种通过从磁头向磁记录介质照射近场光(near-fieldl...
  • 本实施方式涉及存储装置、控制器电路以及记录再现方法。在磁盘装置等存储装置中,在各磁道(track),由记录介质上的磁化方向表示信息位(bit,比特)的值。此时,希望提高信息的记录密度。发明内容一个实施方式提供能够提高信息的记录密度的存储装置、控制器电路以及记录再现方法。根据一个实施...
  • 本实用新型涉及一种内存条测试治具。内存条是用于储存数据的一个重要计算机部件,由于计算机的广泛普及,越来越多的技术人员开始从事内存条的测试、维修工作。当前,内存条的测试方法主要分为两类:一是使用专用内存条测试设备,二是使用纯软件的内存条测试程序。专用内存条测试设备价格非常昂贵、且定位被测试的...
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